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中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化

更新時(shí)間:2023-11-28 19:19:55作者:佚名

中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化

  新華社廣州10月17日電(記者 田建川)記者從中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所東莞研究部獲悉,近日,中國(guó)散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)成功制備出高性能大面積碳化硼薄膜,實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化。

  中國(guó)散裂中子源是位于廣東省東莞市境內(nèi)的大科學(xué)裝置,被譽(yù)為觀察微觀世界的“超級(jí)顯微鏡”,能在不對(duì)物質(zhì)造成破壞的前提下“看穿”材料的微觀結(jié)構(gòu),中子探測(cè)器就是這個(gè)大科學(xué)裝置的“眼睛”。

  據(jù)了解,此次制備出的碳化硼薄膜樣品單片面積達(dá)到1500毫米×500毫米,薄膜厚度1微米,全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%,是目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜。該樣品由我國(guó)自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置制備。

  基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測(cè)器因其優(yōu)異的性能已成為當(dāng)前國(guó)際上研究的熱點(diǎn),隨著中國(guó)散裂中子源二期工程即將啟動(dòng),擬建的中子譜儀對(duì)大面積、高效率、位置靈敏的新型中子探測(cè)器需求緊迫。制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術(shù),目前只有美國(guó)和歐洲少數(shù)幾個(gè)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握了該項(xiàng)技術(shù)。

  2016年,在核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的支持下,中國(guó)散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)與同濟(jì)大學(xué)教授朱京濤合作,開始研制一臺(tái)磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,鍍膜厚度范圍為0.01微米至5微米,同時(shí)支持單、雙面鍍膜,支持射頻和直流鍍膜。2021年6月,該裝置通過(guò)了重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)收并投入使用。

  經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,中國(guó)散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過(guò)渡層選擇、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù),利用該鍍硼專用裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜,并成功應(yīng)用于中國(guó)散裂中子源多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM(氣體電子倍增器)中子探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化,為接下來(lái)研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。

本文標(biāo)簽: 中子  探測(cè)器  關(guān)鍵技術(shù)