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dram存儲器的中文含義是（DRAM與NAND的區(qū)別）。本站來告訴相關信息，希望對您有所幫助。

最近幾年，電子產(chǎn)品的價格走勢不斷降低，大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜，但事實是從去年開始，手機、電腦、家電等產(chǎn)品價格一直在持續(xù)漲價，而這其中的主要原因就是內(nèi)存和閃存芯片漲價。

之前宏旺半導體說過，半導體存儲器，主要分為DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。其中DRAM就是我們熟知的內(nèi)存，用在電腦和手機、平板，全球市場規(guī)模約420億美元，目前被韓國三星、海力士和美國美光三家壟斷，占據(jù)90%以上的份額。

什么是DRAM？從技術層面來說，DRAM (Dynamic RAM)即動態(tài)RAM，是RAM家族中最大的成員，通常所講的RAM即指DRAM. DRAM由晶體管和小容f電容存儲單元組成。每個存儲單元都有一小的蝕刻晶體管，這個晶體管通過小電容的電荷保持存儲狀態(tài)，即開和關。電容類似于小充電電池。它可以用電壓充電以代表1，放電后代表0，但是被充電的電容會因放電而丟掉電荷，所以它們必須由一新電荷持續(xù)地“刷新氣。

下圖所示的是標準的DRAM結(jié)構(gòu)的框架圖，和SRAM不同的是，標準DRAM的地址線分成兩組以減少輸入地址引腳的數(shù)量，提高封裝的效率。雖然在標準的DRAM結(jié)構(gòu)中，輸入地址引腳的數(shù)量可以通過安排多元的地址方式來減少，但是這樣的話，標準DRAM存儲單元的時鐘控制就會變得更加復雜，同時運行速度會受到影響。為了滿足對于高速DRAM應用的需求，一般都用分開的地址輸入引腳來減少時鐘控制的復雜性和提高運行速度。

由于國際壟斷，如今，國家也意識到DRAM和閃存芯片玩的就是資金，所以投入了巨資進入存儲芯片產(chǎn)業(yè)。 越來越多的國內(nèi)存儲品牌開始崛起，為存儲芯片國產(chǎn)化發(fā)力。以宏旺半導體為例，總部和研發(fā)實驗室位于深圳，IC設計中心、封測中心位于臺灣，物流倉庫中心位于香港，并且有著完善的研發(fā)中心和產(chǎn)品矩陣。

DDR作為應用最廣泛的動態(tài)隨機存取存儲器，被應用于路由器、光貓等設備中，DDR允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM 的兩倍。以宏旺半導體推出的高品質(zhì)DDR4為例，容量為256Mb*16/512Mb*16/1Gb*16，封裝尺寸為BGA 96Ball 8*14mm/7.5*13.5mm/9*14mm，工作溫度0°C~85°C，并具有2666 Mbps 的工作頻率，能夠以出色的速度傳輸數(shù)據(jù)，可以快速、輕松地處理大量工作負載。

此外，宏旺半導體的存儲產(chǎn)品還包括MCP/D FLASH/SSD/內(nèi)存條/TF卡等，每一款產(chǎn)品均經(jīng)過嚴苛的高低溫老化磨損、擦寫壽命、全套可靠性等品質(zhì)測試。憑借高兼容性、高集成、大容量等特點，目前已在全球范圍為創(chuàng)維、中興、TCL等多家客戶服務。

相比于國外廠家，國產(chǎn)存儲芯片有著較為完善的售前售后保障。宏旺半導體配備了專業(yè)的FAE團隊進行專業(yè)的一對一技術支持，能夠隨時跟進客戶項目，解決問題及時有效，這些服務優(yōu)勢是國外廠商無法比擬的。